FB-DIMM

简介

Fully Buffered DIMM（或FB-DIMM）是一种记忆体解决方案，用来增加记忆体系统的稳定性、速度、及容量密度。就传统而言，记忆体控制器上的资料线必须与每一个DRAM模组相连线，如此记忆体无论是拓宽存取界面的频宽或加快存取界面的速度，都会使界面的信号转差，如此不仅限制了速度的提升，也会限制记忆体系统的记忆空间提升，而FB-DIMM则是用不同的方式手法来解决这个问题。JEDEC组织已经正式敲定发布FB-DIMM的规范标準。

技术

Fully Buffered DIMM架构新创立了一颗先进记忆体缓冲（Advanced Memory Buffer，AMB）晶片，这颗晶片被安插在记忆体控制器与记忆体模组间，且与“传统DRAM所用的并列汇流排架构”不同的，FB-DIMM是以串列界面来连线AMB晶片与记忆体控制器，如此可以在不增加记忆体控制器的线路数下提升记忆体的频宽，同时具有技术可行性。使用此架构后，记忆体控制器不需要再直接将资料写入记忆体模组，而是透过AMB晶片来完成这项工作。此外AMB也能以缓冲方式来抵补信号劣化并重新传送信号。除此之外，AMB也能提供错误更正，而不需要偏劳到记忆体控制器或处理器，另外也能提供“位元通道容错移转校正(Bit Lane Failover Correction)”能力，能查出哪一条资料路径损坏，并在运作过程中将该坏损路径移除不用，如此能大幅减少命令资讯传输、位址资讯传输的错误。此外，因为读取及写入都已经透过缓冲处理，所以记忆体控制器可同时执行读取与写入。如此不仅接线更简化、记忆体频宽更大，且就理论而言，记忆体控制器可以不用在意与理会所使用的是何种记忆体晶片，可以是以前的DDR2抑或是现在的DDR3，理论上可直接替换。不过，Fully Buffered DIMM的作法也有其不利处，特别是在功耗（Power Consumption）及资料存取需求的延迟（Latency，俗称：Lag）上。然而此方式应是未来最无顾虑的记忆体效能提升法。